STP12NM50 دیتاشیت

STP12NM50

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STP12NM50
حجم فایل 53.174 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

مشاهده دیتاشیت STP12NM50

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: STMicroelectronics STP12NM50
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 160W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1000pF@25V
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@50uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 350mΩ@6A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: STMicroelectronics

محصولات مشابه